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绕开EUV封锁！国产存储芯片，开创“两步循环刻蚀”新工艺突围
出品 | 搜狐财经-天机制造局 文案、剪辑 | 王泽红 你相信吗？没有EUV光刻机，也能造出先进存储芯片。 刚刚，北方华创在IEEE期刊发论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大突破，开发出一种叫"两步循环刻蚀"的新工艺。 这套工艺，很有可能帮长鑫绕过EUV光刻机的封锁，直接把3D DRAM给量产出来。 过去十几年，DRAM的迭代逻辑是二维微缩——把晶体管平铺在硅片上，19纳米、17纳米， 存储单元越刻越小，到7纳米以下只能靠EUV。 但EUV只有荷兰能造，一台卖十几个...
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华为何庭波再次更新韬定律论文：那颗本该烧毁的“τ芯片”
一颗本最容易被“热”困住的堆叠芯片，为什么反倒能够做到更加省电？ 9月4日，华为半导体负责人何庭波再次在中科院科技论文预发布平台ChinaXiv发布论文《Huawei’s τ Chip Was Supposed to Melt?》，试图从芯片内部的数据传输和电路设计解释这一现象。 今年5月，华为对外发布“韬定律”，尝试为后摩尔时代的半导体演进寻找一条新的技术路径。而此次论文更新，也是华为试图向外展示“τ芯片”是如何通过重构电路结构、缩短信号传输距离、压缩传输延迟，将“时间维度革新”转化为芯...