纳米

绕开EUV封锁！国产存储芯片，开创“两步循环刻蚀”新工艺突围

出品 | 搜狐财经-天机制造局 文案、剪辑 | 王泽红 你相信吗？没有EUV光刻机，也能造出先进存储芯片。 刚刚，北方华创在IEEE期刊发论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大突破，开发出一种叫"两步循环刻蚀"的新工艺。 这套工艺，很有可能帮长鑫绕过EUV光刻机的封锁，直接把3D DRAM给量产出来。 过去十几年，DRAM的迭代逻辑是二维微缩——把晶体管平铺在硅片上，19纳米、17纳米， 存储单元越刻越小，到7纳米以下只能靠EUV。 但EUV只有荷兰能造，一台卖十几个...